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Herstellerteilenummer | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH, RAM |
Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 162-VFBGA |
Supplier Device Package | 162-VFBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G-FT |
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel