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Herstellerteilenummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH, RAM |
Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y-FT |
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel