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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F)

Name: MT3S111P(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S111P(TE12L,F)
Price: 0.306 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (661 reviews)

MFG-Teilenummer: MT3S111P(TE12L,F)

verfügbare Anzahl: 27110 Stücke

Referenzpreis: USD 0.306

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MT3S111P(TE12L,F).pdf

MT3S111P(TE12L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MT3S111P(TE12L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-MT3S111P(TE12L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MT3S111P(TE12L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	NPN
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	6V
Frequenz - Übergang	8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Gewinnen	10.5dB
Leistung max	1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-243AA
Supplier Device Package	PW-MINI
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111P(TE12L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MT3S111P(TE12L,F)-FT

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