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Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT:B

MFG-Teilenummer
MT40A1G8WE-083E AUT:B
verfügbare Anzahl
72860 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MT40A1G8WE-083E AUT:B.pdf
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MT40A1G8WE-083E AUT:B Spezifikationen

Herstellerteilenummer MT40A1G8WE-083E AUT:B
Zukünftige Teilenummer FT-MT40A1G8WE-083E AUT:B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MT40A1G8WE-083E AUT:B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz 1.2GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / fall -
Supplier Device Package -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT40A1G8WE-083E AUT:B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MT40A1G8WE-083E AUT:B-FT

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