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Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:B
- MFG-Teilenummer
- MT40A2G4WE-075E:B
- verfügbare Anzahl
- 25790 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Micron Technology Inc.
- Kurze Beschreibung
- - IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MT40A2G4WE-075E:B.pdf
MT40A2G4WE-075E:B Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MT40A2G4WE-075E:B |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MT40A2G4WE-075E:B |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MT40A2G4WE-075E:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Speichergröße | 8Gb (2G x 4) |
| Taktfrequenz | 1.33GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.26V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / fall | - |
| Supplier Device Package | - |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT40A2G4WE-075E:B Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MT40A2G4WE-075E:B-FT |
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