Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT40A512M16JY-062E:B TR
Herstellerteilenummer | MT40A512M16JY-062E:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT40A512M16JY-062E:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT40A512M16JY-062E:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR4 |
Speichergröße | 8Gb (512M x 16) |
Taktfrequenz | 1.6GHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.26V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-062E:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT40A512M16JY-062E:B TR-FT |
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel