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Herstellerteilenummer | MT45W4MW16BFB-708 WT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT45W4MW16BFB-708 WT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT45W4MW16BFB-708 WT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | PSRAM |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 54-VFBGA |
Supplier Device Package | 54-VFBGA (6x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-708 WT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT45W4MW16BFB-708 WT-FT |
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
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NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
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