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Herstellerteilenummer | MT46V128M4BN-6:D TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT46V128M4BN-6:D TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT46V128M4BN-6:D TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
Taktfrequenz | 167MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (10x12.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4BN-6:D TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT46V128M4BN-6:D TR-FT |
MT46V32M8P-5B:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-6T IT:G
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-6T IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-6T:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-6TL:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-5B:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T L:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-75 IT:G
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel