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Herstellerteilenummer | MT46V16M16CY-5B:M TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT46V16M16CY-5B:M TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT46V16M16CY-5B:M TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x12.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V16M16CY-5B:M TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT46V16M16CY-5B:M TR-FT |
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AAT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:F
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E IT:G
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel