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Herstellerteilenummer | MT47H128M4B6-25E:D TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M4B6-25E:D TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M4B6-25E:D TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4B6-25E:D TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M4B6-25E:D TR-FT |
MT46V128M4FN-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel