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Herstellerteilenummer | MT47H128M4CB-37E:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M4CB-37E:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M4CB-37E:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
Taktfrequenz | 267MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 500ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4CB-37E:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M4CB-37E:B TR-FT |
MT46V128M4FN-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel