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Herstellerteilenummer | MT47H128M4CF-187E:G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M4CF-187E:G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M4CF-187E:G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 350ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4CF-187E:G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M4CF-187E:G-FT |
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8 XT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFB4-8:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-10:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel