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Herstellerteilenummer | MT47H128M8B7-5E L:A TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M8B7-5E L:A TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M8B7-5E L:A TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 600ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 92-VFBGA |
Supplier Device Package | 92-FBGA (11x19) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8B7-5E L:A TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M8B7-5E L:A TR-FT |
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFCK-5:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFCK-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel