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Herstellerteilenummer | MT47H128M8BT-5E L:A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M8BT-5E L:A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M8BT-5E L:A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 600ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 92-VFBGA |
Supplier Device Package | 92-FBGA (11x19) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8BT-5E L:A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M8BT-5E L:A-FT |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel