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Herstellerteilenummer | MT47H128M8SH-25E IT:M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H128M8SH-25E IT:M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H128M8SH-25E IT:M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8SH-25E IT:M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H128M8SH-25E IT:M-FT |
MT46H16M32LFT67M-N1003
Micron Technology Inc.
MT46H1DAMA-DC
Micron Technology Inc.
MT46H1DBB5-DC
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel