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Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E:C TR
- MFG-Teilenummer
- MT47H256M8EB-187E:C TR
- verfügbare Anzahl
- 45420 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Micron Technology Inc.
- Kurze Beschreibung
- - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MT47H256M8EB-187E:C TR.pdf
MT47H256M8EB-187E:C TR Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MT47H256M8EB-187E:C TR |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H256M8EB-187E:C TR |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MT47H256M8EB-187E:C TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 350ps |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 60-TFBGA |
| Supplier Device Package | 60-FBGA (9x11.5) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT47H256M8EB-187E:C TR Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MT47H256M8EB-187E:C TR-FT |
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