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Herstellerteilenummer | MT47H256M8EB-25E AIT:C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H256M8EB-25E AIT:C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H256M8EB-25E AIT:C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (9x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E AIT:C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H256M8EB-25E AIT:C-FT |
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
Micron Technology Inc.
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E:E
Micron Technology Inc.