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Herstellerteilenummer | MT47H256M8EB-3:C TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H256M8EB-3:C TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H256M8EB-3:C TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (9x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-3:C TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H256M8EB-3:C TR-FT |
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel