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Herstellerteilenummer | MT47H256M8THN-3:H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H256M8THN-3:H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H256M8THN-3:H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 63-TFBGA |
Supplier Device Package | 63-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8THN-3:H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H256M8THN-3:H-FT |
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-6 AT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFCG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFCG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel