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Herstellerteilenummer | MT47H32M16BN-5E:D TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H32M16BN-5E:D TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H32M16BN-5E:D TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 600ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 84-TFBGA |
Supplier Device Package | 84-FBGA (10x12.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16BN-5E:D TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H32M16BN-5E:D TR-FT |
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel