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Herstellerteilenummer | MT47H32M8BP-3:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H32M8BP-3:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H32M8BP-3:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 256Mb (32M x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M8BP-3:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H32M8BP-3:B TR-FT |
MT46V16M16FG-75:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation