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Herstellerteilenummer | MT47H512M4EB-3:C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H512M4EB-3:C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H512M4EB-3:C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (9x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4EB-3:C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H512M4EB-3:C-FT |
MT46H32M32LFJG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel