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Herstellerteilenummer | MT47H512M4THN-37E:E TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H512M4THN-37E:E TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H512M4THN-37E:E TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
Taktfrequenz | 267MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 500ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 63-FBGA |
Supplier Device Package | 63-FBGA (9x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4THN-37E:E TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H512M4THN-37E:E TR-FT |
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel