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Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:E TR

Name: MT47H512M4THN-3:E TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47H512M4THN-3:E TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (333 reviews)

MFG-Teilenummer: MT47H512M4THN-3:E TR

verfügbare Anzahl: 10000 Stücke

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MT47H512M4THN-3:E TR.pdf

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MT47H512M4THN-3:E TR Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MT47H512M4THN-3:E TR
Zukünftige Teilenummer	FT-MT47H512M4THN-3:E TR
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MT47H512M4THN-3:E TR Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR2
Speichergröße	2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz	333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	450ps
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur	0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	63-FBGA
Supplier Device Package	63-FBGA (9x11.5)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H512M4THN-3:E TR Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MT47H512M4THN-3:E TR-FT

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