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Herstellerteilenummer | MT47H512M8WTR-3:C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H512M8WTR-3:C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H512M8WTR-3:C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 450ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 63-TFBGA |
Supplier Device Package | 63-FBGA (9x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M8WTR-3:C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H512M8WTR-3:C-FT |
MT46H64M32L2CG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-6:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-6:A TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel