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Herstellerteilenummer | MT47H64M8B6-5E:D TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H64M8B6-5E:D TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H64M8B6-5E:D TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 600ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8B6-5E:D TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H64M8B6-5E:D TR-FT |
MT46V32M16FN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel