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Herstellerteilenummer | MT47H64M8CB-25:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H64M8CB-25:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H64M8CB-25:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-25:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H64M8CB-25:B TR-FT |
MT46V32M16FN-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel