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Herstellerteilenummer | MT47H64M8CB-5E:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H64M8CB-5E:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H64M8CB-5E:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 600ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-FBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-5E:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H64M8CB-5E:B-FT |
MT46V32M16FN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-5B:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-6:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-75:G
Micron Technology Inc.
MT46V32M8BG-75:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8FG-5B:G TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel