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Herstellerteilenummer | MT47H64M8JN-25E IT:G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H64M8JN-25E IT:G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H64M8JN-25E IT:G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8JN-25E IT:G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H64M8JN-25E IT:G-FT |
IS43DR16640B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MT47H128M16RT-25E AAT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.