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Herstellerteilenummer | MT47H64M8SH-187E:H TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT47H64M8SH-187E:H TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT47H64M8SH-187E:H TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 350ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8SH-187E:H TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT47H64M8SH-187E:H TR-FT |
MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 WT:B
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel