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Herstellerteilenummer | MT49H32M18CSJ-25E:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT49H32M18CSJ-25E:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | DRAM |
Speichergröße | 576Mb (32M x 18) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 15ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 144-TFBGA |
Supplier Device Package | 144-FBGA (18.5x11) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT49H32M18CSJ-25E:B TR-FT |
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel