Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Herstellerteilenummer | MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.2V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:A
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:A TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:B
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel