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Herstellerteilenummer | MT53B4DCNY-DC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B4DCNY-DC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B4DCNY-DC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | - |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B4DCNY-DC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B4DCNY-DC-FT |
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DANH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel