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Herstellerteilenummer | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M32D2DS-053 AAT:E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 16Gb (512M x 32) |
Taktfrequenz | 1866MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E-FT |
MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DANH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel