Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Herstellerteilenummer | MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
Taktfrequenz | 1600MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR-FT |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0APWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0AQWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 XT:B
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation