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Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
- MFG-Teilenummer
- MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
- verfügbare Anzahl
- 18860 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Micron Technology Inc.
- Kurze Beschreibung
- - IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR.pdf
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / fall | - |
| Supplier Device Package | - |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR-FT |
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