Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C
Herstellerteilenummer | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
Taktfrequenz | 1600MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C-FT |
MT53B384M32D2DS-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel