Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
Herstellerteilenummer | MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
Taktfrequenz | 1600MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D-FT |
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel