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Herstellerteilenummer | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
Taktfrequenz | 1866MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel