Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
Herstellerteilenummer | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
Taktfrequenz | 2133MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR-FT |
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT:D
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel