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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
- MFG-Teilenummer
- MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
- verfügbare Anzahl
- 85480 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Micron Technology Inc.
- Kurze Beschreibung
- - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E.pdf
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Taktfrequenz | 2133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / fall | - |
| Supplier Device Package | - |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E-FT |
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