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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

Name: MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Availability: InStock
Rating: 4.6 (543 reviews)

MFG-Teilenummer: MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

verfügbare Anzahl: 37440 Stücke

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E.pdf

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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Zukünftige Teilenummer	FT-MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße	32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz	2133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	-
Spannungsversorgung	1.1V
Betriebstemperatur	-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart	-
Paket / fall	-
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E-FT

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