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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Image

Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MFG-Teilenummer
MTA4ATF51264HZ-2G6E1
verfügbare Anzahl
83020 Stücke
Referenzpreis
USD 45.54448
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MTA4ATF51264HZ-2G6E1.pdf
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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Zukünftige Teilenummer FT-MTA4ATF51264HZ-2G6E1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz 1333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / fall -
Supplier Device Package -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MTA4ATF51264HZ-2G6E1-FT

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