Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Optische Sensoren - Fotodioden / MTD5010N
Herstellerteilenummer | MTD5010N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MTD5010N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MTD5010N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Wellenlänge | 850nm |
Farbverbessert | Infrared (NIR)/Red |
Spektralbereich | 400nm ~ 1100nm |
Diodentyp | - |
Reaktionsfähigkeit @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Reaktionszeit | 3.5ns |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Dunkel (Typ) | 5nA |
Aktiver Bereich | - |
Blickwinkel | 24° |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MTD5010N-FT |
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
LCMXO2-7000HC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC7A35T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050S-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100A
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C5
Intel
EP3SL150F1152C4L
Intel
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation