Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / MTM861270LBF
Herstellerteilenummer | MTM861270LBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MTM861270LBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MTM861270LBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 540mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | WSSMini6-F1 |
Paket / fall | 6-SMD, Flat Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM861270LBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MTM861270LBF-FT |
HAT2171H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2175H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2266H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2267H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2279H-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0301DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0305DPB-02#J0
Renesas Electronics America
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.