Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / MTZJT-779.1B
Herstellerteilenummer | MTZJT-779.1B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MTZJT-779.1B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MTZJT-779.1B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Toleranz | ±3% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 20 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AG, DO-34, Axial |
Supplier Device Package | MSD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTZJT-779.1B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MTZJT-779.1B-FT |
RLZTE-119.1B
Rohm Semiconductor
RLZTE-119.1C
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XC4013E-1PQ208C
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XC7A15T-2FGG484C
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LCMXO1200C-3FTN256I
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A3P250L-1VQ100I
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AGLN125V5-VQG100I
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EP3SL200F1517C3N
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5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel