Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / MUN2212T1G
Herstellerteilenummer | MUN2212T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN2212T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN2212T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 338mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SC-59 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2212T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN2212T1G-FT |
UNR921CG0L
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UNR921DG0L
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UNR921FG0L
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UNR921KG0L
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UNR921TG0L
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XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel