Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5335DW1T1G
Herstellerteilenummer | MUN5335DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5335DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5335DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5335DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5335DW1T1G-FT |
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143TPDXV6T1G
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NSVBC114EDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV6T1G
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AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
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EP1K100QC208-2
Intel