Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5335DW1T2G
Herstellerteilenummer | MUN5335DW1T2G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5335DW1T2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5335DW1T2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5335DW1T2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5335DW1T2G-FT |
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor
LFECP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-12F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45C3
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC4013XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation