Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5335DW1T2G
Herstellerteilenummer | MUN5335DW1T2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5335DW1T2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5335DW1T2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5335DW1T2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5335DW1T2G-FT |
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
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NSVBC143ZPDXV6T1G
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XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP1K50TI144-2N
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EP20K30ETC144-2X
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EPF10K30ETC144-2X
Intel
EPF6016ATI144-3
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ICE40HX1K-VQ100
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LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-3N
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EP2C8F256C7
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