Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5336DW1T1G
Herstellerteilenummer | MUN5336DW1T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5336DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5336DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5336DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5336DW1T1G-FT |
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
Intel